Name: IPB024N08N5ATMA1
Brand: Rochester Electronics
SKU: IPB024N08N5ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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メーカー部品: IPB024N08N5ATMA1

メーカー: Rochester Electronics

説明: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

カテゴリー: ディスクリート半導体製品

家族: トランジスタ-FET、MOSFET-シングル

シリーズ: -

在庫あり: 42765

オンラインデータセット: IPB024N08N5ATMA1 PDF

IPB024N08N5ATMA1 知らせ

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シリーズ:OptiMOS™
パッケージ:Bulk
部品ステータス:Active
fetタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧（vdss）:80 V
電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:120A (Tc)
駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:6V, 10V
rds on（max）@ id、vgs:2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs（th）（max）@ id:3.8V @ 154µA

ゲート電荷（qg）（max）@ vgs:123 nC @ 10 V
vgs（最大）:±20V
入力容量（ciss）（max）@ vds:8.97 pF @ 40 V
fet機能:-
消費電力（最大）:214W (Tc)
作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ:D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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返品/保証	保証	すべての購入には、30日間の返金ポリシーに加えて、製造上の欠陥に対する90日間の保証が付いています。この保証は、不適切な顧客の組み立て、顧客による指示に従わなかった、製品の変更、怠慢または不適切な操作によって欠陥が生じたアイテムには適用されません。

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