Name: IPD082N10N3GATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPD082N10N3GATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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メーカー部品: IPD082N10N3GATMA1

メーカー: IR (Infineon Technologies)

説明: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

カテゴリー: ディスクリート半導体製品

家族: トランジスタ-FET、MOSFET-シングル

シリーズ: -

在庫あり: 6300

オンラインデータセット: IPD082N10N3GATMA1 PDF

IPD082N10N3GATMA1 知らせ

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シリーズ:OptiMOS™
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品ステータス:Active
fetタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレインからソースへの電圧（vdss）:100 V
電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:80A (Tc)
駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:6V, 10V
rds on（max）@ id、vgs:8.2mOhm @ 73A, 10V
vgs（th）（max）@ id:3.5V @ 75µA

ゲート電荷（qg）（max）@ vgs:55 nC @ 10 V
vgs（最大）:±20V
入力容量（ciss）（max）@ vds:3980 pF @ 50 V
fet機能:-
消費電力（最大）:125W (Tc)
作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO252-3
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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